SI1965DH-T1-GE3

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SI1965DH-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI1965DH-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI1965DH-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI1965DH
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SI1965DH-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max 1.25W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DHT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI1965DH-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 8V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI1965DH-T1-GE3TR

SI1965DHT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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