SI2301BDS-T1-GE3

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SI2301BDS-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI2301BDS-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI2301BDS-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI2301BDS
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SI2301BDS-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms SI2301BDS-T1-GE3-ND
SI2301BDS-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI2301BDS-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI2301BDS-T1-GE3-ND

SI2301BDS-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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