SI2318DS-T1-GE3

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SI2318DS-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI2318DS-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI2318DS-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI2318DS
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SI2318DS-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms SI2318DS-T1-GE3TR
SI2318DST1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant SI2318DS-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)

Autres

Autres noms SI2318DS-T1-GE3TR

SI2318DST1GE3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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