SI3460DV-T1-E3

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SI3460DV-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI3460DV-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI3460DV-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI3460DV
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SI3460DV-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1.1W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SI3460DV-T1-E3-ND
SI3460DV-T1-E3TR
SI3460DVT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI3460DV-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta)

Autres

Autres noms SI3460DV-T1-E3-ND

SI3460DV-T1-E3TR

SI3460DVT1E3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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