SI3473CDV-T1-GE3

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SI3473CDV-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI3473CDV-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI3473CDV-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI3473CDV
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SI3473CDV-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SI3473CDV-T1-GE3TR
SI3473CDVT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI3473CDV-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 8V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

Autres

Autres noms SI3473CDV-T1-GE3TR

SI3473CDVT1GE3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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