SI3586DV-T1-E3

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SI3586DV-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI3586DV-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI3586DV-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI3586DV
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SI3586DV-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Puissance - Max 830mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SI3586DV-T1-E3TR
SI3586DVT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI3586DV-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A, 2.1A

Autres

Autres noms SI3586DV-T1-E3TR

SI3586DVT1E3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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