SI3805DV-T1-GE3

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SI3805DV-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI3805DV-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI3805DV-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI3805DV
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SI3805DV-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SI3805DV-T1-GE3CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI3805DV-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)
Description élargie P-Channel 20V 3.3A (Tc) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms SI3805DV-T1-GE3CT

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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