SI4101DY-T1-GE3

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SI4101DY-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI4101DY-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI4101DY-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI4101DY-T1-GE3
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SI4101DY-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SI4101DY-T1-GE3-ND
SI4101DY-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI4101DY-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8190pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 203nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 30V 25.7A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25.7A (Tc)

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms SI4101DY-T1-GE3-ND

SI4101DY-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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