SI4501BDY-T1-GE3

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SI4501BDY-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI4501BDY-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI4501BDY-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI4501BDY
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SI4501BDY-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SOIC
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max 4.5W, 3.1W
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SI4501BDY-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI4501BDY-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
type de FET N and P-Channel, Common Drain
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Tension drain-source (Vdss) 30V, 8V
La description MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A, 8A

Autres

Emballage normal 1
Autres noms SI4501BDY-T1-GE3DKR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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