SI4890DY-T1-E3

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SI4890DY-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI4890DY-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI4890DY-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI4890DY
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SI4890DY-T1-E3TR
SI4890DYT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI4890DY-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms SI4890DY-T1-E3TR

SI4890DYT1E3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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