EXSHINE Modèle de produit: | EX-SI4914BDY-T1-GE3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SI4914BDY-T1-GE3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SI4914BDY |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
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Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Puissance - Max | 2.7W, 3.1W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SI4914BDY-T1-GE3TR SI4914BDYT1GE3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
Référence fabricant | SI4914BDY-T1-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET | Standard |
Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
La description | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8.4A, 8A |
Autres noms | SI4914BDY-T1-GE3TR SI4914BDYT1GE3 |
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Emballage normal | 2,500 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.