SI5406CDC-T1-GE3

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SI5406CDC-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5406CDC-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI5406CDC-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5406CDC
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SI5406CDC-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
SI5406CDCT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI5406CDC-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 8V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

Autres

Autres noms SI5406CDC-T1-GE3TR

SI5406CDC-T1-GE3TR-N

SI5406CDCT1GE3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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