SI5935CDC-T1-GE3

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SI5935CDC-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5935CDC-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI5935CDC-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5935CDC
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Puissance - Max 3.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5935CDC-T1-GE3TR
SI5935CDCT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI5935CDC-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI5935CDC-T1-GE3TR

SI5935CDCT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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