SI6410DQ-T1-E3

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SI6410DQ-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI6410DQ-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI6410DQ-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si6410DQ
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SI6410DQ-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-TSSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Autres noms SI6410DQ-T1-E3TR
SI6410DQT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI6410DQ-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Autres noms SI6410DQ-T1-E3TR

SI6410DQT1E3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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