SI6954ADQ-T1-GE3

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SI6954ADQ-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI6954ADQ-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI6954ADQ-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si6954ADQ
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SI6954ADQ-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur 8-TSSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 3.4A, 10V
Puissance - Max 830mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Autres noms SI6954ADQ-T1-GE3TR
SI6954ADQT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI6954ADQ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A

Autres

Autres noms SI6954ADQ-T1-GE3TR

SI6954ADQT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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