SI7288DP-T1-GE3

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SI7288DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7288DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7288DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7288DP
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SI7288DP-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max 15.6W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms SI7288DP-T1-GE3TR
SI7288DPT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI7288DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A

Autres

Autres noms SI7288DP-T1-GE3TR

SI7288DPT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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