SI7415DN-T1-GE3

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SI7415DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7415DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7415DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si7415DN
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Autres noms SI7415DN-T1-GE3TR
SI7415DNT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI7415DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 60V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI7415DN-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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