SI7478DP-T1-GE3

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SI7478DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7478DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7478DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si7478DP
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.9W (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Autres noms SI7478DP-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI7478DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)

Autres

Autres noms SI7478DP-T1-GE3DKR
Emballage normal 1

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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