SI7611DN-T1-GE3

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SI7611DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7611DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7611DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7611DN
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SI7611DN-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Autres noms SI7611DN-T1-GE3TR
SI7611DNT1GE3
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI7611DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 40V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)

Autres

Autres noms SI7611DN-T1-GE3TR

SI7611DNT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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