SI7784DP-T1-GE3

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SI7784DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7784DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7784DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7784DP
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Autres noms SI7784DP-T1-GE3TR
SI7784DPT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI7784DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI7784DP-T1-GE3TR

SI7784DPT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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