SI7900AEDN-T1-E3

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SI7900AEDN-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7900AEDN-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI7900AEDN-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7900AEDN
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Puissance - Max 1.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual
Autres noms SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDNT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI7900AEDN-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI7900AEDN-T1-E3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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