SI7923DN-T1-E3

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SI7923DN-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7923DN-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI7923DN-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7923DN
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SI7923DN-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 6.4A, 10V
Puissance - Max 1.3W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual
Autres noms SI7923DN-T1-E3TR
SI7923DNT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI7923DN-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A

Autres

Autres noms SI7923DN-T1-E3TR

SI7923DNT1E3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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