SI7997DP-T1-GE3

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SI7997DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7997DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7997DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7997DP
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SI7997DP-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Puissance - Max 46W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DPT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant SI7997DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A

Autres

Autres noms SI7997DP-T1-GE3TR

SI7997DPT1GE3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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