SI8429DB-T1-E1

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SI8429DB-T1-E1

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI8429DB-T1-E1
Fabricant Modèle de produit:SI8429DB-T1-E1
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI8429DB
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 4-Microfoot
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-XFBGA, CSPBGA
Autres noms SI8429DB-T1-E1TR
SI8429DBT1E1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant SI8429DB-T1-E1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 8V
La description MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.7A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI8429DB-T1-E1TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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