SI8469DB-T2-E1

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SI8469DB-T2-E1

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI8469DB-T2-E1
Fabricant Modèle de produit:SI8469DB-T2-E1
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI8469DB-T2-E1
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 4-Microfoot
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-UFBGA
Autres noms SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI8469DB-T2-E1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 8V
La description MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI8469DB-T2-E1-ND

SI8469DB-T2-E1TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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