SI9435BDY-T1-E3

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SI9435BDY-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI9435BDY-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI9435BDY-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI9435BDY
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SI9435BDY-T1-E3TR
SI9435BDYT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant SI9435BDY-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 30V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Ta)

Autres

Autres noms SI9435BDY-T1-E3TR

SI9435BDYT1E3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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