SIB417AEDK-T1-GE3

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SIB417AEDK-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIB417AEDK-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIB417AEDK-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIB417AEDK
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-75-6L Single
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-75-6L
Autres noms SIB417AEDK-T1-GE3TR
SIB417AEDKT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIB417AEDK-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 878pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 8V
La description MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIB417AEDK-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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