SIB914DK-T1-GE3

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SIB914DK-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIB914DK-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIB914DK-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIB914DK
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SIB914DK-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-75-6L Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Puissance - Max 3.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-75-6L Dual
Autres noms SIB914DK-T1-GE3TR
SIB914DKT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SIB914DK-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Tension drain-source (Vdss) 8V
La description MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A

Autres

Autres noms SIB914DK-T1-GE3TR

SIB914DKT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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