SIE726DF-T1-GE3

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SIE726DF-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIE726DF-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIE726DF-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIE726DF
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SIE726DF-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 10-PolarPAK® (L)
Séries SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 10-PolarPAK® (L)
Autres noms SIE726DF-T1-GE3CT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SIE726DF-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms SIE726DF-T1-GE3CT

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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