SIHB21N65EF-GE3

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SIHB21N65EF-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHB21N65EF-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHB21N65EF-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHB21N65EF
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SIHB21N65EF-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SiHB21N65EF-GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SIHB21N65EF-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2322pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V
La description MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)

Autres

Autres noms SiHB21N65EF-GE3
Emballage normal 50

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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