EXSHINE Modèle de produit: | EX-SIHF22N60E-GE3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SIHF22N60E-GE3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SIHF22N60E |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries | E |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
Autres noms | SIHF22N60E-GE3DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 19 Weeks |
Référence fabricant | SIHF22N60E-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
La description | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Autres noms | SIHF22N60E-GE3DKR |
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Emballage normal | 1 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.