SIHG30N60E-E3

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SIHG30N60E-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHG30N60E-E3
Fabricant Modèle de produit:SIHG30N60E-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SiHG30N60E
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SIHG30N60E-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247AC
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Autres noms SIHG30N60EE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 19 Weeks
Référence fabricant SIHG30N60E-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc)

Autres

Emballage normal 500
Autres noms SIHG30N60EE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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