SIHU5N50D-GE3

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SIHU5N50D-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHU5N50D-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHU5N50D-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHU5N50DTO-251AA (IPAK) Pkg Drawing
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Poids:-
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Disponibilité en temps réel pour
SIHU5N50D-GE3
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-251
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant SIHU5N50D-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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