SIR826DP-T1-GE3

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SIR826DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIR826DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIR826DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIR826DP
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SIR826DP-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Autres noms SIR826DP-T1-GE3TR
SIR826DPT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIR826DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 80V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 80V
La description MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIR826DP-T1-GE3TR

SIR826DPT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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