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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIRA00DP-T1-GE3
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SIRA00DP-T1-GE3
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-SIRA00DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | SIRA00DP-T1-GE3 |
| Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
| Brève description: | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | SIRA00DPPowerPak SO-8 Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
SIRA00DP-T1-GE3
En stock: 18771000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 18771000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
| Autres noms | SIRA00DP-T1-GE3TR SIRA00DPT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
| Référence fabricant | SIRA00DP-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 30V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Autres
| Autres noms | SIRA00DP-T1-GE3TR SIRA00DPT1GE3 |
|---|---|
| Emballage normal | 3,000 |
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Distributeur de Vishay Siliconix
- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.