SIS406DN-T1-GE3

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SIS406DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIS406DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIS406DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIS406DN
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SIS406DN-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Autres noms SIS406DN-T1-GE3TR
SIS406DNT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIS406DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)

Autres

Autres noms SIS406DN-T1-GE3TR

SIS406DNT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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