SIS468DN-T1-GE3

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SIS468DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIS468DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIS468DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:SIS468DN
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Poids:-
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SIS468DN-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Autres noms SIS468DN-T1-GE3TR
SIS468DNT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIS468DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 80V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 80V
La description MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIS468DN-T1-GE3TR

SIS468DNT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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