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SIS612EDNT-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIS612EDNT-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIS612EDNT-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V 50A SMT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:SiS612EDNT
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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SIS612EDNT-T1-GE3
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Autres noms Q8619879
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIS612EDNT-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms Q8619879

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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