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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIS890DN-T1-GE3
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SIS890DN-T1-GE3
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-SIS890DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | SIS890DN-T1-GE3 |
| Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
| Brève description: | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | SIS890DN |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
SIS890DN-T1-GE3
En stock: 16825000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 16825000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 |
| Autres noms | SIS890DN-T1-GE3TR SIS890DNT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Référence fabricant | SIS890DN-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 802pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 100V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| La description | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Autres
| Autres noms | SIS890DN-T1-GE3TR SIS890DNT1GE3 |
|---|---|
| Emballage normal | 3,000 |
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Distributeur de Vishay Siliconix
- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.