SISS40DN-T1-GE3

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SISS40DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SISS40DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SISS40DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SISS40DN
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SISS40DN-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Séries ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms SISS40DN-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SISS40DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36.5A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SISS40DN-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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