SQ3460EV-T1_GE3

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SQ3460EV-T1_GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SQ3460EV-T1_GE3
Fabricant Modèle de produit:SQ3460EV-T1_GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SQ3460EV
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SQ3460EV-T1_GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-TSOP
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms SQ3460EV-T1-GE3DKR
SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1_GE3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant SQ3460EV-T1_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms SQ3460EV-T1-GE3DKR

SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND

SQ3460EV-T1_GE3DKR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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