SQD50N06-09L_GE3

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SQD50N06-09L_GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SQD50N06-09L_GE3
Fabricant Modèle de produit:SQD50N06-09L_GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 60V 50A
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SQD50N06-09L
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SQD50N06-09L_GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SQD50N06-09L-GE3
SQD50N06-09L-GE3-ND
SQD50N06-09L_GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant SQD50N06-09L_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3065pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 50A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

Autres

Emballage normal 2,000
Autres noms SQD50N06-09L-GE3

SQD50N06-09L-GE3-ND

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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