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SQJB00EP-T1_GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SQJB00EP-T1_GE3
Fabricant Modèle de produit:SQJB00EP-T1_GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SQJB00EP
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SQJB00EP-T1_GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max 48W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual
Autres noms SQJB00EP-T1_GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 13 Weeks
Référence fabricant SQJB00EP-T1_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)

Autres

Autres noms SQJB00EP-T1_GE3TR
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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