SQM120N04-1M9_GE3

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SQM120N04-1M9_GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SQM120N04-1M9_GE3
Fabricant Modèle de produit:SQM120N04-1M9_GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SQM120N04-1M9-GE3
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SQM120N04-1M9_GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263 (D2Pak)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant SQM120N04-1M9_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8790pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

Autres

Emballage normal 800
Autres noms SQM120N04-1M9-GE3

SQM120N04-1M9-GE3-ND

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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