SQM40N10-30_GE3

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SQM40N10-30_GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SQM40N10-30_GE3
Fabricant Modèle de produit:SQM40N10-30_GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 100V 40A TO263
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SQM40N10-30
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SQM40N10-30_GE3
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263 (D2Pak)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 107W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant SQM40N10-30_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3345pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

Autres

Autres noms SQM40N10-30-GE3

SQM40N10-30-GE3-ND
Emballage normal 800

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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