TN0200K-T1-E3

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TN0200K-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-TN0200K-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:TN0200K-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V SOT23-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:TN0200K
Application:-
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Remplacement alternatif:-
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TN0200K-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms TN0200K-T1-E3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant TN0200K-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Autres noms TN0200K-T1-E3DKR
Emballage normal 1

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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