EXSHINE Modèle de produit: | EX-ALD110914PAL |
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Fabricant Modèle de produit: | ALD110914PAL |
Fabricant / Marque: | Advanced Linear Devices, Inc. |
Brève description: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | ALD110814,914 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.42V @ 1µA |
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Package composant fournisseur | 8-PDIP |
Séries | EPAD® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5.4V |
Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms | 1014-1042 |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Référence fabricant | ALD110914PAL |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Fonction FET | Standard |
Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
Tension drain-source (Vdss) | 10.6V |
La description | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12mA, 3mA |
Emballage normal | 50 |
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Autres noms | 1014-1042 |
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- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) développe et fabrique des circuits intégrés analogiques CMOS de précision ultra-basse consommation, des produits de carte associés, des modules de récupération d'énergie et des accessoires intégrant la technologie EPAD® exclusive à l'entreprise. Les produits semi-conducteurs standard d'ALD incluent une gamme complète de commutateurs analogiques basse tension à injection ultra-faible charge à haute performance, de convertisseurs A / N à double pente et de processeurs numériques, de comparateurs de tension de précision, de circuits de précision rail à rail Les amplificateurs opérationnels CMOS et les temporisateurs CMOS à faible dérive avec une sortie de décharge élevée, ainsi qu’une vaste sélection d’APAD en mode de mise à niveau, d’épuisement et à seuil zéro, correspond aux réseaux de transistors MOSFET de faible signal.