ALD1115MAL

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ALD1115MAL

EXSHINE Modèle de produit:EX-ALD1115MAL
Fabricant Modèle de produit:ALD1115MAL
Fabricant / Marque:Advanced Linear Devices, Inc.
Brève description:MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:ALD1115
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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ALD1115MAL
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1µA
Package composant fournisseur 8-MSOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1800 Ohm @ 5V
Puissance - Max 500mW
Emballage Tube
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant ALD1115MAL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET N and P-Channel Complementary
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel Complementary 10.6V 500mW Surface Mount 8-MSOP
Tension drain-source (Vdss) 10.6V
La description MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) développe et fabrique des circuits intégrés analogiques CMOS de précision ultra-basse consommation, des produits de carte associés, des modules de récupération d'énergie et des accessoires intégrant la technologie EPAD® exclusive à l'entreprise. Les produits semi-conducteurs standard d'ALD incluent une gamme complète de commutateurs analogiques basse tension à injection ultra-faible charge à haute performance, de convertisseurs A / N à double pente et de processeurs numériques, de comparateurs de tension de précision, de circuits de précision rail à rail Les amplificateurs opérationnels CMOS et les temporisateurs CMOS à faible dérive avec une sortie de décharge élevée, ainsi qu’une vaste sélection d’APAD en mode de mise à niveau, d’épuisement et à seuil zéro, correspond aux réseaux de transistors MOSFET de faible signal.

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