6N135

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6N135

EXSHINE Modèle de produit:EX-6N135
Fabricant Modèle de produit:6N135
Fabricant / Marque:Everlight Electronics
Brève description:OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:6N135/136, EL4502
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
6N135
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Sortie (max) 20V
Tension - Isolement 5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.45V
Vce Saturation (Max) -
Activer / éteindre l'heure (Typ) 350ns, 500ns
Package composant fournisseur 8-DIP
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) -
Emballage Tube
Package / Boîte 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Le type de sortie Transistor with Base
Autres noms 6N135EL
Température de fonctionnement -55°C ~ 100°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant 6N135
Type d'entrée DC
Description élargie Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-DIP
La description OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
Rapport du transfert de courant (min) 7% @ 16mA
Rapport du transfert de courant (max) 50% @ 16mA
Courant - Sortie / Canal 8mA
Courant - DC Forward (If) (Max) 25mA

Autres

Emballage normal 45
Autres noms 6N135EL

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Distributeur de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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