FDMS8025S

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FDMS8025S

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDMS8025S
Fabricant Modèle de produit:FDMS8025S
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 30V POWER56
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDMS8025S
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FDMS8025S
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur Power56
Séries PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms FDMS8025STR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant FDMS8025S
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 24A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount Power56
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V POWER56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 49A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms FDMS8025STR

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

- Le groupe FDK souhaite contribuer à la mise en place d’une société électronique riche en fabriquant et en fournissant des dispositifs électroniques et des batteries répondant aux besoins de ses clients. Fidèle à son approche centrée sur le client, FDK fournit des produits destinés à accroître la valeur et la fonctionnalité des produits de nos clients. Nos technologies de matériaux, circuits et haute densité sont cultivées depuis longtemps et utilisent des produits écologiques. Nous nous efforçons d'être reconnus dans le monde entier comme l'un des meilleurs fournisseurs d'appareils clés et à la pointe de la technologie et de faire progresser les technologies émergentes tout en favorisant la protection de l'environnement.

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